◆  产品说明：

◆  详情：

主要用于存储程序中的变量。在单芯片单片机中（*1），常常用SRAM作为内部RAM。SRAM允许高速访问，内部结构太复杂，很难实现高密度集成，不适合用作大容量内存。除SRAM外，DRAM也是常见的RAM。DRAM的结构比较容易实现高密度集成，比SRAM的容量大。将高速逻辑电路和DRAM于同一个晶片上较为困难，一般在单芯片单片机中很少使用，基本上都是用作外围电路。（*1）单芯片单片机是指：将CPU，ROM，RAM，振荡电路，定时器和串行I/F等集成于一个LSI的微器。
交联聚乙绝缘机场助航灯光电缆

天联NH-HBV电缆产品介绍：

主要规格：单芯、4mm2

额定电压：500V

执行标准：MH/T6049-2008

天联NH-HBV电缆产品介绍：产品适用于额定电压500V机场助航灯光输电二次系统。电缆导体的长期允许工作温度为90℃，短路时电缆的温度250℃（ 长持续时间不超过5s）；电缆工作温度为-15℃。
产品结构图

产品结构：导体7/0.85

电缆外径：7.75±0.2mm

绝缘标称厚度：1.6mm

天联NH-HBV电缆护套标称厚度：1.0mm

20℃时直流电阻4.61Ω/km

电缆试验电压3.0KV/5min不击穿声明串口初始化程序。设置定时器1工作在模式2，自动装载初值(详见第二讲)。SMOD位清0，波特率不加倍。串行口工作在方式1，并允许接收。定时器1高8位赋初值。波特率为1200b/s定时器1低8位赋初值。启动定时器。主函数。定义一个字符型变量。初始化串口。死循环。如果接收到数据。将接收到的数据赋给之前定义的变量。将接收到的值输出到P0口。对接收标志位清0，准备再次接收。将接收到的数据又发送出去。查询是否发送完毕。三相HB型1.2°的步进电机，六主极无微调，与12主极有微调的全步进驱动时的位置精度比较如下图所示：1/8细分驱动时的位置精度比较如下图所示：三相12主极微调结构步进电机全步进时，位置精度可以改善±2%以内。在细分时，微调结构精度提高近50%。细分步距角精度比全步距角运行的精度大。步距采用8分割时，步距角为1.2°/8=0.15°，以此作为控制计算基准，其精度值当然比全步距角时要高。三相HB型高分辨率电机的改善：三相HB型步进电机有2相1.8°的1/3，即0.6°的髙分辨率电机，由于驱动芯片可以在市场上到，所以可以很容易地实现高精度位置。